文献链接：上半市原Electronicstructuresandunusuallyrobustbandgapinanultrahigh-mobilitylayeredoxidesemiconductor,Bi2O2Se（Sci.Adv.,2018,DOI:10.1126/sciadv.aat8355）北京大学彭海琳教授和牛津大学陈宇林教授为该工作的共同通讯作者，上半市原并列第一作者为陈成博士（牛津）、王美晓博士（上海科技大学）及吴金雄博士（北京大学）。

建立了精确调控石墨烯结构的范德华外延、年内限域分子流、年内持续氧辅助等一系列生长方法，创造了石墨烯单晶生长速度的世界纪录，实现了4英寸无褶皱石墨烯单晶晶圆、大面积石墨烯薄膜的连续批量制备和绿色无损转移，实现了旋转双层石墨烯光电器件研制、单晶石墨烯PN结的调制掺杂和光热电机制的高效能量转换。该工作的合作者还包括上海科技大学柳仲恺、蒙古煤产薛加明和李刚教授、蒙古煤产以色列魏茨曼科学研究所颜丙海教授、上海交通大学贾金峰教授以及南京大学袁洪涛教授等。

曾荣获OutstandingYoungResearcherAward(MacronixPrize)、呼和浩特WilliamE.andDianeM.SpicerYoungInvestigatorAward等奖项。课题组主要利用角分辨光电子能谱研究新型材料（拓扑量子材料、吨同非常规超导体、低维量子材料等）的电子结构探索工作。2018年9月14日，比下相关成果以题为Electronicstructuresandunusuallyrobustbandgapinanultrahigh-mobilitylayeredoxidesemiconductor,Bi2O2Se在线发表在ScienceAdvances上。

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